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芯能半導體新推出一款1200V800A C2模塊，該模塊采用自主研發的基于MPT工藝平臺的IGBT和發射極控制技術的FRD，封裝兼容62mm。

2024年6月11-13日，深圳芯能半導體技術有限公司受邀參加德國紐倫堡電力電子系統及元器件展覽會（PCIM Euorpe）

芯能半導體通過"廣東省工程中心"認定

芯能半導體新推出一款1200V_1000A C5模塊，該模塊采用高性能、高可靠性的1200V SiC MOSFET。Xiner Semiconductor has launched a new 1200V_1000A C5 power module, which uses 1200V SiC MOSFETs with high performance and high reliability.

2024年4月11日，芯能半導體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經開區舉行，本次交接項目為一棟三層半結構，約13000m2。合肥安巢經開區管委會代表、芯能半導體公司代表等共同見證這一重要時刻。

芯能半導體新推出一款1200V600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發射極控制技術的FRD芯片。主要應用在光伏、儲能、電機控制器等領域。

芯能半導體推出基于SiC-MOS IPM的汽車空調應用方案

2023年10月30日，慕尼黑華南電子展如期舉行

關于防范不法分子假冒本公司產品從事欺詐活動的公告

芯能半導體正在推出下一代V系列芯片